Расчет электрических свойств переходного отверстия¶

Расчеты электрических свойств переходного отверстия производятся на базе расчетов во вкладке «Переходные отверстия» с учетом стека слоев печатной платы, подробное описание см. Конфигуратор набора слоев и переходных отверстий.

Особенности проведения расчетов:
1. Если для переходного отверстия установлены индивидуальные настройки: выбраны опорные слои, параметры антипадов, наличие маски и т.д. — расчет электрических свойств ПО будет произведен с установленными настройками.
2. Если прохождение сигнала не соответствует структуре, заданной в Конфигураторе набора слоев и переходных отверстий, то задержка сигнала рассчитывается пропорционально слоям, на которых ПО соединяет треки.
3. Расчет емкости для несквозного отверстия основывается на расчете емкости сквозного отверстия, т.е. емкость несковозного отверстия равна произведению емкости сквозного отверстия на коэффициент пропорциональности (K):
Сотв = СскотвK.
Коэффициент пропорциональности (K) равен отношению высоты отверстия к высоте слоев в стеке платы:
K= Hотв/Hсл.
4. Расчет индуктивности несквозного отверстия производится аналогично расчету емкости:
Lотв=LскотвK.
5. Волновое сопротивление для всех типов отверстий рассчитывается как для сквозного отверстия.
6. При расчете параметров трека, содержащего ПО и расположенного на одном слое, общие значения рассчитываются по формулам:
Собщ=Свх+Сисх+Спо,
где Собщ – общая емкость трека и переходного отверстия, Свх – емкость входящего трека, Сисх – емкость исходящего трека, Спо – емкость переходного отверстия;
Lобщ=Lвх+Lисх,
где Lобщ – общая индуктивность трека и переходного отверстия, Lвх – индуктивность входящего трека, Lисх – индуктивность исходящего трека,
Tобщ=√(Свх+Сисх+Спо)*(Lвх+Lисх+Lпо/Nсл)),
где Tобщ – общая задержка трека и переходного отверстия, Lпо – индуктивность переходного отверстия, Nсл – количество сигнальных слоев в ПО.