Перейти к содержанию

Одиночный расчет

Под одиночным расчетом переходного отверстия подразумевается расчет волнового сопротивления и вторичных параметров ПО с заданными геометрическими параметрами и электрофизическими параметрами.
Для проведения одиночного расчета выполните следующие действия:
1. Определите стартовые настройки расчета (Рис. 1):

  • «Объект расчета» – «Переходное отверстие»;
  • «Тип расчета» – «Без потерь».
  1. Выберите модель переходного отверстия. При наведении курсора мыши на одну из моделей доступны всплывающие подсказки с наименованием и кодовым обозначением модели.
  2. Модель переходного отверстия настраивается с помощью установки и снятия флагов в чек-боксах «Маска» и «Опорный 1...4» в области просмотра.
    Область просмотра предоставляет подробное описание выбранной модели ПО: наименование модели, кодовое обозначение, изображение модели с условными обозначениями ключевых при моделировании параметров и пояснения к ним.
    При редактировании параметра или выборе его в качестве изменяемой величины во множественном расчете условное обозначение параметра на модели будет выделено красным цветом, см. Рис. 1.
Рис. 1 Стартовые настройки расчета
Рис. 1 Стартовые настройки расчета
  1. Определите входные параметры переходного отверстия и параметры материала ПП (Рис. 2):
  • Dv –  диаметр переходного отверстия.
  • Tp – толщина меди в отверстии.
  • Dp – диаметр площадки. Количество параметров Dp (Dp1, Dp2 и т.д.) зависит от количества проводящих слоев в выбранной модели.
  • Da – диаметр антипада. Количество параметров Da (Da1, Da2 и т.д.) зависит от количества проводящих слоев в выбранной модели.
  • T – толщина меди. Количество параметров T (T1, T2 и т.д.) зависит от количества проводящих слоев в выбранной модели.
  • H – толщина диэлектрика. Количество параметров H (H1, H2 и т.д.) зависит от количества диэлектриков в выбранной модели.
  • Er – диэлектрическая проницаемость. Количество параметров Er (Er1, Er2 и т.д.) зависит от количества диэлектриков в выбранной модели.
  • C1 – толщина маски.
  • CEr – диэлектрическая проницаемость маски.

Рис. 2 Параметры ПО и материала ПП
Рис. 2 Параметры ПО и материала ПП
  1. Запустите расчет волнового сопротивления и вторичных параметров переходного отверстия с помощью кнопки «Рассчитать» в правом нижнем углу вкладки расчета.
  2. Для одиночного расчета переходного отверстия настройка результатов расчета не требуется, рассчитанные параметры представляются в виде таблицы в нижней области вкладки (Рис. 3):
  • Zо – волновое сопротивление (Ом);
  • Tpd – задержка в переходном отверстии (пс);
  • C – емкость переходного отверстия (пФ);
  • Vp – скорость распространения сигнала (м/с);
  • L – индуктивность переходного отверстия (нГн);
  • EEr – эффективная диэлектрическая проницаемость.

Рис. 3 Рассчитанные параметры ПО
Рис. 3 Рассчитанные параметры ПО