Расчётные параметры моделей компонентов¶
Параметры моделей компонентов, доступные для использования в качестве переменных в Выражениях, и их обозначения приведены в Табл. 1.
Таблица 1 Обозначения параметров моделей компонентов
| Компонент | Напряжения/Потенциалы | Ток | Ёмкости/Индуктивности | Заряд/Потокосцепление | Мощность | Энергия | Другое |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Резистор R | V | I | - | - | PD | ED | - |
| Ёмкость C | V | I | C | Q | PS | ES | - |
| Индуктивность L | V | I | L | X | PS | ES | - |
| Длинная линия T | V1,V2 | I1, I2 | - | - | - | - | - |
| Ключи S,W | V | I | - | - | PD | ED | R - сопротивление ключа |
| Независимые источники V,I | V | I | - | - | PG | EG | - |
| Управляемые и функциональные источники | V | I | - | - | - | - | H - передаточная функция Лапласа/импульсная характеристика |
| Диод D | V | I | C | Q | PD,PS | ED,ES | - |
| Биполярный транзистор Q | VB,VC,VE,VS,VBC,VBE,VBS,VCE,VSE,VSC | IB,IC,IE,IS | CBC,CBE,CSC | QBC,QBE,QSC | PD,PS | ED,ES | - |
| Полевой транзистор J | VG,VD,VS,VGD,VGS,VDS | IG,ID,IS | CGD,CGS | QGD,QGS | PD,PS | ED,ES | - |
| МОП-транзистор M | VB,VG,VD,VS,VGB,VGD,VGS,VDS,VBD,VBS | IG,ID,IS | CGB,CGD,CGS,CBD,CBS | QGB,QGD,QGS,QBD,QBS | PD,PS | ED,ES | - |
Для обращения к расчетному параметру компонента необходимо указать его обозначение согласно таблице и в скобках указать имя компонента, параметр которого будет использован.
Примеры параметров моделей:
Q(C1) – заряд на ёмкости С1;
CBC(Q1) – ёмкость перехода база-коллектор биполярного транзистора Q1;
VGD(J1) – напряжение перехода затвор-сток полевого транзистора J1.