Общие параметры МОП-транзисторов¶
Для МОП-транзисторов (полевых транзисторов с изолированным затвором) существуют общие входные SPICE-параметры, доступные для редактирования, см. Рис. 1.
Подробнее об общих входных SPICE-параметрах МОП-транзисторов см. Табл. 1.
Таблица 1 Редактируемые параметры МОП-транзисторов
| Обозначение | Параметр | Значение по умолчанию | Единица измерения | Обязательный параметр |
|---|---|---|---|---|
| LEVEL | Уровень модели транзистора | 1 | - | Нет |
| AREA | Число параллельно соединённых транзисторов | - | - | Нет |
| OFF | Признак выключенного состояния в расчёте постоянного тока | - | - | Нет |
| IC | Начальное смещение | - | Вольт | Нет |
Подробнее об использовании параметра OFF см. раздел Расчёт рабочей точки схемы, об использовании параметра IC — раздел Расчёт рабочей точки схемы.
Примечание! Если параметры AREA, OFF, IC не определены, то их определения не формируются в нетлисте, если не определен параметр LEVEL, будет использован уровень 1 – Модель Шихмана–Ходжеса.
Выбор уровня модели транзистора (LEVEL) производится из выпадающего меню, подробнее см. Табл. 2.
Таблица 2 Уровни модели транзистора
| Параметр LEVEL | Имя модели |
|---|---|
| 1 | Модель Шихмана–Ходжеса |
| 2 | MOS2, аналитическая модель Грув–Хоффмана |
| 3 | MOS3, полуэмпирическая модель |
| 4 | BSIM, версия 3.3, берклиевская модель ПТИЗ с коротким каналом |
| 5 | BSIM, версия 4.8.2, берклиевская модель ПТИЗ с коротким каналом |