Транзистор полевой арсенид-галлиевый¶
УГО компонента в основном представлении (VT1) и представлении ЕСКД (VT2) показаны на Рис. 1.
Примечание! По умолчанию метки выводов скрыты, включение отображения производится в панели «Свойства» для выбранного контакта.
Подробная информация о выводах УГО и выводах модели представлена в Табл. 1.
Таблица 1 Описание выводов УГО и выводов модели
| Номер вывода | Имя вывода | Метка вывода | Вывод модели | Описание вывода |
|---|---|---|---|---|
| 1 | D | D | @D | Сток |
| 2 | G | G | @G | Затвор |
| 3 | S | S | @S | Исток |
Для редактирования доступны следующие SPICE-параметры, см. Рис. 2.
Подробнее о входных SPICE-параметрах арсенид-галлиевого полевого транзистора см. Табл. 2.
Таблица 2 Редактируемые параметры арсенид-галлиевого полевого транзистора
| Обозначение | Параметр | Значение по умолчанию | Единица измерения | Обязательный параметр |
|---|---|---|---|---|
| LEVEL | Уровень модели транзистора | 1 | - | Нет |
| AREA | Число параллельно соединённых транзисторов | - | - | Нет |
| OFF | Признак выключенного состояния в расчёте постоянного тока | - | - | Нет |
| IC | Начальное смещение | - | Вольт | Нет |
Подробнее об использовании параметра OFF см. раздел Расчёт рабочей точки схемы, об использовании параметра IC — раздел Расчёт рабочей точки схемы.
Примечание! Если параметры AREA, OFF, IC не определены, то их определения не формируются в нетлисте, если не определен параметр LEVEL, будет использован уровень 1 – Модель Куртиса (Curtice).
Выбор уровня модели транзистора (LEVEL) производится из выпадающего меню, подробнее см. Табл. 3.
Таблица 3 Уровни модели транзистора
| Параметр LEVEL | Имя модели |
|---|---|
| 1 | Модель Куртиса (Curtice) |
| 2 | Модель Рэйтеона (Raytheon) |
| 3 | Модель TriQuit ТОМ |
| 4 | Модель TriQuit ТОМ-2 |
| 5 | Модель Паркера-Скеллерна |
Подробнее о модели компонента см. Описание моделей примитивов.