Расчётные параметры моделей компонентов

Параметры моделей компонентов, доступные для использования в качестве переменных в Выражениях, и их обозначения приведены в Табл. 1.
Таблица 1 Обозначения параметров моделей компонентов

Компонент	Напряжения/Потенциалы	Ток	Ёмкости/Индуктивности	Заряд/Потокосцепление	Мощность	Энергия	Другое
Резистор R	V	I	-	-	PD	ED	-
Ёмкость C	V	I	C	Q	PS	ES	-
Индуктивность L	V	I	L	X	PS	ES	-
Длинная линия T	V1,V2	I1, I2	-	-	-	-	-
Ключи S,W	V	I	-	-	PD	ED	R - сопротивление ключа
Независимые источники V,I	V	I	-	-	PG	EG	-
Управляемые и функциональные источники	V	I	-	-	-	-	H - передаточная функция Лапласа/импульсная характеристика
Диод D	V	I	C	Q	PD,PS	ED,ES	-
Биполярный транзистор Q	VB,VC,VE,VS,VBC,VBE,VBS,VCE,VSE,VSC	IB,IC,IE,IS	CBC,CBE,CSC	QBC,QBE,QSC	PD,PS	ED,ES	-
Полевой транзистор J	VG,VD,VS,VGD,VGS,VDS	IG,ID,IS	CGD,CGS	QGD,QGS	PD,PS	ED,ES	-
МОП-транзистор M	VB,VG,VD,VS,VGB,VGD,VGS,VDS,VBD,VBS	IG,ID,IS	CGB,CGD,CGS,CBD,CBS	QGB,QGD,QGS,QBD,QBS	PD,PS	ED,ES	-

Для обращения к расчетному параметру компонента необходимо указать его обозначение согласно таблице и в скобках указать имя компонента, параметр которого будет использован.

Примеры параметров моделей:
Q(C1)   – заряд на ёмкости С1;
CBC(Q1) – ёмкость перехода база-коллектор биполярного транзистора Q1;
VGD(J1) – напряжение перехода затвор-сток полевого транзистора J1.